大數據分析~~為您提供全新的獲利方式【出處】空匮區
【瓶頸】
1.在PN接面，非論順偏逆偏都必需假定空匮區電流為定值
可是為何是定值?
順偏時空匮區載子濃度分布是位置的指數函數，
電場也是位置的函數，沒有復合電流，
電子電洞流總括應不是定值，應是位置的函數
逆偏時亦然。
2. MOS電晶體在drain加偏壓時，
夾止區內電場為何是定值，不隨VDS及橫軸座標改變，
夾止區內不也是空匮區嗎?
3. 一般Bipolar的P-ISO是用逆偏空匮區蓋住載子跑到其他元件
但空匮區照樣會漏電(有小電流)，那不是隔斷結果差?
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4. 一般PN接面圓柱形分布都會有空乏區電場線擁堵的狀態 但為何電場線擁擠容易造成漏電(產生複合電流變大)，是何種物理機制?數據分析項目眾多
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